鄂州市光谷东产业园区建设有限公司： 

　　你单位《关于审批武汉新城华容微电子产业中试基地项目的请示》（光谷东建文〔2026〕4号）及附件收悉。经委托京延工程咨询有限公司组织专家评审并出具评审报告，结合我委相关审查，原则同意该项目可行性研究报告。现批复如下： 

　　一、项目名称及代码 

　　项目名称：武汉新城华容微电子产业中试基地项目 

　　项目代码：2607-420703-04-01-662669 

　　二、项目建设地点 

　　鄂州市华容区庙岭镇安城村 

　　三、项目建设必要性 

　　近年来武汉都市圈微电子产业规模高速扩张，长江存储、天马微电子等龙头企业扎堆布局，产业集聚效应不断增强。产业链不断延伸的同时，区域芯片工艺熟化、样品试制、第三方精密检测、小批量试产等公共中试配套资源供给不足的短板日渐凸显。本项目位于华容区，选址紧邻武汉光谷核心片区，距离长江存储仅4公里，地缘衔接紧密、交通通勤便捷，可就近承接龙头企业配套服务订单与技术外溢，完善区域微电子产业链中间关键环节，助力武鄂同城化产业联动发展，强化武汉都市圈集成电路产业整体配套承载力与核心竞争力。 

　　四、建设规模及内容 

　　项目拟于华容区庙岭镇安城村快岭东路东侧地块新建微电子产业中试基地，项目占地面积约210.7亩，总建筑面积约21.69万平方米，项目分南北地块建设，其中： 

　　南地块占地面积约114.7亩，总建筑面积约12.02万平方米。主要建设内容包括：1栋研发中心、5座中试孵化中心、1栋基地宿舍、1座乙类研发材料存储库、1座动力站及其他配套基础设施。 

　　北地块占地面积约96亩，总建筑面积约9.67万平方米。主要建设内容包括：1栋研发中心、1座中试平台、4座小试孵化中心、1座中试孵化中心、1座甲类研发材料存储库、2栋食堂、1座动力站、1座变电站及其他配套基础设施。 

　　五、项目法人及建设工期 

　　项目法人单位为鄂州市光谷东产业园区建设有限公司，建设工期为24个月。 

　　六、投资估算及资金来源 

　　工程估算总投资149608.96万元，其中工程费用117063.89万元，工程建设其他费用22995.35万元，预备费7002.96万元，建设期利息2528.39万元，铺地流动资金18.37万元。资金来源为项目单位自筹及拟申请地方政府专项债等资金。 

　　项目招标范围、方式及组织形式见附件。接文后，请严格按照相关建设标准，组织编制工程初步设计报我委审批。 

　　附：工程招标审批部门核准意见 　　  

　　鄂州市发展和改革委员会 

　　2026年7月30日